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駕駛“核心” ,飛向未來

——英飛凌2018媒體會議

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本報記者李鵬

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根據慣例 ,每年一次的英飛凌春節媒體會議最近在北京的一個四合院舉行 。會議的主角仍然是英飛凌科技(中國)有限公司大中華區總裁蘇華博士 。在一個輕鬆愉快的氛圍中 ,蘇華博士做了報告《英飛凌2017業績回顧及2018展望》 。

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根據世界半導體貿易統計協會(WSTS)於2017年11月發佈的報告 ,2017年全球半導體市場大幅增長 ,規模超過4090億美元 ,創七年來新高 。與此同時 ,WSTS預計2018年全球半導體銷售額將超過4370億美元 ,同比增長7.0% ,預計將繼續創下歷史新高 。在中國 ,半導體市場的增長與全球增長率一致 ,增長率超過19% 。國家政策 ,資金支持和創新應用已成爲推動中國半導體增長的主要力量 。

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Infinex的業績在2017財年繼續增長 。集團的全球收入達到70.63億歐元 ,比2016年增長9% ,利潤率爲17.1% 。英飛凌擁有非常廣泛的增長基礎 。除了電動汽車 ,駕駛輔助系統和可再生能源 ,工業應用業務也是公司進一步發展的支柱 ,包括日益自動化的生產機械和機器人的驅動 。 。英飛凌的智能“核心”使人們的生活更加便捷 ,安全和環保 。

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2017財年突出業績背後的四大亮點

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首先 ,繼續提高生產力 ,擴大生產能力 。英飛凌在德國德累斯頓工廠的300毫米薄晶圓產能擴張起到了關鍵作用 。

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二是重視技術研發 。在2017財年 ,英飛凌專注於基於複合半導體的新技術 ,擴展其碳化硅和GaN產品組合 ,特別是首次在碳化硅MOSFET產品中 。這項關鍵技術的突破是持續的成功 。奠定基礎 。

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三是進一步實施“從產品思維到系統理解”的戰略 。英飛凌通過了解其系統和市場需求 ,結合他們在半導體領域的專業知識 ,爲客戶提供理想的系統解決方案 。

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四是不斷創新 。 2017財年 ,英飛凌成功實施了新一代後量子密碼學(PQC)在商用無接觸安全芯片上的首次實施 ,這意味着英飛凌在加密方面處於領先地位 ,可以應對量子計算能力 。

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2017財年 ,英飛凌繼續成爲全球功率半導體和智能卡芯片的第一 ,並在全球汽車半導體市場排名第二 。

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    中國可再生能源成爲促進營英飛凌收增長的第二大因素 

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工業電源控制部門(IPC)在2017財年的收入達到了12.06億歐元 。此外 ,由於中國政府大力支持的風電和光伏產業的大幅擴張 ,可再生能源已成爲促進收入增長的第二大因素 。根據IHS Markit截至2017年8月的數據 ,其市場份額爲26.6% ,英飛凌在全球IGBT功率半導體市場中排名第一 。

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在未來幾年 ,隨着各政府 ,特別是中國政府對可再生能源的開發和利用 ,以及持續投資 ,工業電力控制部門將繼續受益 ,業務將繼續增長 。

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英飛凌將繼續專注於關鍵增長市場 ,創新 ,並通過碳化硅和氮化鎵技術的先進突破進一步擴大其產品組合 ,以實現先進技術和產品 ,如電動汽車 ,可再生能源 ,在互聯網等新興領域的成功應用東西的 。


2017年英飛凌在功率器件方面取得重大突破


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蘇華博士和英飛凌四個部門負責人接受了媒體提問 。通過多年跟蹤英飛凌的報道 ,作者深深感受到IGBT芯片與CPU中的CPU一樣重要 。英飛凌內部是光伏逆變器質量的重要保證 。中國工業電源控制部副總裁於德輝回答了作者對英飛凌未來中國光伏市場戰略和SiC技術進步的關注 。

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關於降低2018年中國光伏補貼價格的應對策略 ,於代輝表示:短期內 ,補貼的下調將增加客戶成本壓力和盈利能力的壓力 ,但從長遠來看 ,我相信它可以促進更加良性和健康的發展 。因此 ,英飛凌將與客戶合作 ,以​​應對成本壓力 ,並大大提高功率密度和產品系統性能 。工業電力控制部門主要從三個方面支持提高光伏產業的競爭力 。

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首先是產品技術創新 。基於對光伏系統向1500V DC發展的判斷 ,英飛凌爲新應用提出了新的技術解決方案 。採用IGBT5.xt技術的新一代PrimePACKTM3 +是業界功耗最高的PrimePACKTM ,電流高達1800A/1200V ,單個容量超過1MW ,真正展示了1500V光伏系統的優勢和價值 。

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第二是爲客戶提供定製服務 。英飛凌重視中國客戶的需求 ,例如定製的1500V DC優化系統解決方案 ,以幫助客戶獲得海外訂單 ,同時也體現了英飛凌中國支持本地客戶走向全球的戰略 。

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三是重視生態圈的運用 。英飛凌充分利用工業 ,大學和研究機構之間的合作 ,推出了1500V直流系統產品 。爲了提高其高功率密度設計 ,英飛凌和大學聯合進行了預研 ,並與供應鏈中的相關合作伙伴和客戶完成了合作 。 1.25MW設計 ,推出1MW ,1.1MW ,1.25MW光伏逆變器系列產品 ,推動了中國光伏產業的技術升級 。

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2017年 ,英飛凌在功率器件方面的突破包括:英飛凌一直致力於提高功率器件的功率密度 ,不斷減少IGBT芯片的損耗 ,不斷開發新的封裝技術 ,並根據中國市場的應用需求進行開發 。定製產品 。中國客戶在光伏和UPS等應用領域擁有許多創新拓撲 。如何實施高密度方法需要開發相應的模塊產品 。這些產品採用最新的芯片技術 ,包括用於碳化硅二極管的MOSFET 。

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碳化硅(SiC)是英飛凌一直以來的產品 ,因爲它是未來 。碳化硅MOSFET在平面柵極工藝可靠性方面存在技術問題 。英飛凌分爲兩步:第一步是在2014年推出SiC JFET ,避免柵極問題 ,並在SiC高速電源開關中創建應用 。第二個時代是2016年推出領先的溝槽柵極SiC MOSFET技術 ,避免了柵極的電場應力 ,消除了令人擔憂的可靠性和壽命問題 。

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作爲行業領導者 ,英飛凌不遺餘力地推動碳化硅的多領域應用 。 2017年 ,英飛凌開始批量生產碳化硅分立器件和模塊 。分立器件採用TO-247-3pin和TO-247-4pin封裝 。這些模塊有EASY 1B和EASY 2B ,62mm封裝等 ,UPS和電源應用 。

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1200 V SiC MOSEFT中使用的溝槽柵極技術的優勢之一是:首先 ,由於柵極氧化層的可靠性 ,具有持久的堅固性和低故障率 。二 ,實現業界的碳化硅器件導通 ,開關損耗最低 ,溫升最低 ,效率最高 。第三 ,英飛凌的SiC器件具有業界獨有的3μs短路能力 ,因爲它們具有較低的故障時間(FIT)速率和針對不同應用的有效短路能力 。得益於4 V閾值電壓(V th)和+15 V的建議開啓閾值(V GS)可以像IGBT一樣驅動英飛凌的SiC MOSEFT ,在出現故障時安全關閉 ,無需特殊設計設計驅動力 ,大大提高了碳化硅產品的普及速度 。

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作爲全球知名的半導體技術公司 ,英飛凌引領全球半導體技術發展 ,是所有專注產品市場中的佼佼者 。憑藉對客戶的責任感和對社會的責任 ,英飛凌將繼續用“核心”來推動未來 ,使人們的生活更加便捷 ,安全和環保 。

2018年01月22日

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用“芯”驅動 ,飛達未來 ——記英飛凌2018媒體見面會

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